İki kat veri yoğunluğu sunacak
Micron'un paylaştığı hedeflere göre G11, milimetrekare başına yaklaşık 42 Gbit yoğunluğuna ulaşacak. Bu değer, G9 neslindeki yaklaşık 21 Gb/mm² seviyesinin iki katına karşılık geliyor. Daha yüksek yoğunluk, aynı fiziksel alanda daha fazla veri depolanmasına veya aynı kapasitenin daha küçük bellek yongalarıyla elde edilmesine olanak tanıyabilir.
Enerji verimliliği de yeni mimarinin öne çıkan özellikleri arasında bulunuyor. Şirket, bit başına veri aktarımında harcanan enerjiyi yüzde 25'ten fazla azaltmayı amaçlıyor. Bu gelişme, özellikle büyük miktarda veriyi sürekli işleyen yapay zeka altyapıları ve veri merkezleri açısından önem taşıyor.
Yeni teknolojinin yalnızca kurumsal depolama sistemlerine değil, tüketici SSD'lerine de katkı sağlaması bekleniyor. Daha yüksek bit yoğunluğu, üretim maliyetlerinin düşürülmesi halinde daha yüksek kapasiteli SSD'lerin daha erişilebilir hâle gelmesine yardımcı olabilir. Bununla birlikte Micron, G11'in tüketici SSD fiyatlarına nasıl yansıyacağı konusunda henüz kesin bir bilgi paylaşmadı.
Wafer-on-wafer bonding teknolojisi kullanılacak
G11'in teknik açıdan en önemli yeniliklerinden biri, wafer-on-wafer bonding adı verilen silikon plakaların birbirine bağlanması yöntemi olacak. Bu yaklaşımda NAND bellek hücrelerinin bulunduğu katmanlarla çevresel devreler ve giriş/çıkış mantığı, farklı silikon plakalar üzerinde ayrı süreçlerle üretilebiliyor. Ardından bu plakalar birbirine bağlanıyor. Böylece bellek dizisinin ve kontrol devrelerinin birbirinden bağımsız biçimde optimize edilmesi mümkün oluyor. Micron, bu yöntemin daha yüksek depolama yoğunluğu ve daha iyi performans elde edilmesine yardımcı olacağını belirtiyor.
